规格书 |
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文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 600mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 150V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 60 @ 10mA, 5V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 400MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 0.6 |
最低工作温度 | -55 |
安装 | Through Hole |
Maximum Transition Frequency | 400 |
包装宽度 | 4.19(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 625 |
类型 | PNP |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 160 |
最大集电极发射极电压 | 150 |
供应商封装形式 | TO-92 |
标准包装名称 | TO-92 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 5.2(Max) |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 30@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V |
包装高度 | 5.33(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Bulk |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 600mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 400MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
标准包装 | 1,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 150V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 60 @ 10mA, 5V |
其他名称 | 2N5401 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.6 A |
集电极 - 基极电压 | 160 V |
集电极 - 发射极电压 | 150 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 400 MHz |
功率耗散 | 0.625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 30 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | PNP |
频率 | 400 MHz |
直流电流增益 | 30 |
集电极电流(DC ) | 0.6 A |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :-150V |
功耗 | :625mW |
Transistor Case Style | :TO-92 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Collector Emitter Voltage Vces | :-200mV |
Current Ic Continuous a Max | :-50mA |
Gain Bandwidth ft Typ | :400MHz |
Hfe Min | :60 |
端接类型 | :Through Hole |
Weight (kg) | 0.00001 |
Tariff No. | 85412900 |
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